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siehe Spezifikationen für Produktdetails.
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onsemi MBRD660CTT4H
| Artikelnummer: | MBRD660CTT4H |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE SCHOTTKY |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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- Verpackung
-
onsemi MBRD660CTT4H Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments MBRD660CTT4H.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 700 mV @ 3 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 60 V Technologie Schottky Supplier Device-Gehäuse DPAK Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Serie SWITCHMODE™ Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Bulk Betriebstemperatur - Anschluss -65°C ~ 175°C Befestigungsart Surface Mount Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Strom - Sperrleckstrom @ Vr 100 µA @ 60 V Strom - Richt (Io) (pro Diode) 3A Grundproduktnummer MBRD660 -
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-
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Wir inspizieren alle Waren vor dem Versand, um sicherzustellen, dass sie in ausgezeichnetem Zustand sind, und überprüfen, ob die Teile neu, originell sind, und entsprechen den Datenblattspezifikationen.Nachdem wir bestätigt haben, dass alles in Ordnung ist, verpacken wir die Artikel sicher und versenden sie über Global Express.
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